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2017年6月，arpa宣布了电子复兴计划（eri），该计划旨在振兴未来美国本土电子产业。一个月后，在arpa在加利福尼亚州旧金山举办的首届年度“电子复兴计划”（eri）峰会开幕式上，arpa宣布了eri六大项目合作研究团队，旨在扶持和培养在材料与集成、电路设计和系统架构三方面的创新性研究。这六个项目旨在补充传统晶体管尺寸的不断缩小并确保持续改进电子性能，包括“三维单芯片系统”（3soc）、“新式计算基础需求”（franc）、“特定领域片上系统”（ssoc）、“软件定义硬件”（sh）、“高端开源硬件”（posh）、“电子设备智能设计”（iea）。
2018年11月，美国国防高级研究计划局宣布电子复兴计划（eri）已进入第二阶段。目前该计划主要通过包括最近新启动的6个eri项目，解决摩尔定律的困境和阻碍未来50年电子产业持续快速发展的挑战。eri第二阶段将探索在传统的cmos缩放中添加互补和替代向量的方法。eri第二阶段的潜在勘探领域包括将微机电系统（mems）和射频（rf）组件直接集成到先进电路和半导体制造工艺中。这些工作将以eri材料与集成研究方向的现有工作为基础，对franc，3soc和chips等当前eri计划进行补充。
电子复兴计划第二阶段的主要目标是解决2018年7月份在旧金山举办的电子复兴计划首届年度峰会上所提出的3个关键问题，即（1）支持美国本土电子制造业发展并使其具备针对不同需求的差异化发展能力；（2）解决芯片安全问题；（3）实现电子复兴计划技术研发与国防实际应用的紧密对接。
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马天娇
